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KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺

发布时间:2024-01-16 18:25:50

KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺

上海伯东某客户为精密光学镀膜产品生产商, 生产过程中需在白玻璃上进行镀膜. 由于国产镀膜设备在射频和光控性能方面的限制, 镀制过程易出现温漂现象, 材料折射率不高, 品质无法保证; 且工艺上需要加热, 这大大增加了镀膜时间. 经过伯东推荐选用国产镀膜机加装美国进口 KRi 射频离子源进行辅助镀膜, 保证工艺效果, **生产效率.


红外截止滤光片是一种用于过滤红外波段的滤镜, IRCF 利用精密光学镀膜技术在白玻璃, 蓝玻璃或树脂片等光学基片上交替镀上高低折射率的光学膜, 其可通过实现近红外光区截止以消除红外光对成像的影响, 是高性能摄像头的必备组件, 工艺上对所用的镀膜设备有着极高的要求.


KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺

应用领域: 光学镜头

薄膜工艺: IR-CUT

产品类别: 红外截止滤光片

应用方向: 国产镀膜机加装 KRi 射频离子源进行离子清洗和辅助沉积, 实现 IR-CUT 单面镀膜


美国 KRi 考夫曼品牌射频离子源通过辅助镀膜在白玻璃 IRCF 上进行工艺升级, 解决温漂问题, 上海伯东美国 KRi 射频离子源 RFICP 系列, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的离子束, 通过栅极控制离子束的能量和方向, 单次工艺时间更长! 射频离子源适合多层膜的制备, 离子溅镀镀膜和离子蚀刻, 改善靶材的致密性, 光透射, 均匀性, 附着力等. 上海伯东是美国 KRi 离子源中国总代理.


美国 KRi RFICP 射频离子源技术参数:型号RFICP 40RFICP 100RFICP 140RFICP 220RFICP 380Discharge 阳极RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频RF 射频离子束流>100 mA>350 mA>600 mA>800 mA>1500 mA离子动能100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V100-1200 V栅极直径4 cm Φ10 cm Φ14 cm Φ20 cm Φ30 cm Φ离子束聚焦, 平行, 散射

**3-10 sccm5-30 sccm5-30 sccm10-40 sccm15-50 sccm通气Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他典型压力< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr< 0.5m Torr长度12.7 cm23.5 cm24.6 cm30 cm39 cm直径13.5 cm19.1 cm24.6 cm41 cm59 cm中和器LFN 2000

上海伯东同时提供真空系统所需的涡轮分子泵, 真空规, 高真空插板阀等产品, 协助客户生产研发高质量的真空系统.


1978 年 Dr. Kaufman 博士在美国创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC, 离子蚀刻 IBE, 辅助镀膜 IBAD, 离子溅射镀膜 IBSD 领域.

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐

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